參數(shù)資料
型號： STGW20NC60V
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V的- TO-220/TO-247非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大小： 293K
代理商： STGW20NC60V
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July 2004
STGP20NC60V
STGW20NC60V
N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247
Very Fast PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
LOSSES INCLUDE DIODE RECOVERY
ENERGY
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
HIGH FREQUENCY OPERATION UP TO 50
KHz
I
LOWER C
RES
/ C
IES
RATIO
I
NEW GENERATION PRODUCTS WITH
TIGHTER PARAMETER DISTRUBUTION
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “V” identifies a family optimized for high
frequency.
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY INVERTERS
I
SMPS and PFC IN BOTH HARD SWITCH AND
RESONANT TOPOLOGIES
I
UPS
I
MOTOR DRIVERS
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Max)
@25°C
I
C
@100°C
STGP20NC60V
STGW20NC60V
600 V
600 V
< 2.5 V
< 2.5 V
30 A
30 A
1
2
3
1
2
3
TO-247
Weight for TO-220: 1.92gr ± 0.01
Weight for TO-247: 4.41gr ± 0.01
Max Clip Pressure: 150 N/mm
2
TO-220
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGP20NC60V
GP20NC60V
TO-220
TUBE
STGW20NC60V
GW20NC60V
TO-247
TUBE
Rev. 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STH15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STW15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STH15NB50FI N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW20NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60DF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
STGW25H120DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SPEED 25 A, 1200 V, TRENCH GATE FIELD STOP IGBT - Bulk
STGW25H120DF2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.6V @ 15V，25A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:600μJ（開），700μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:100nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:29ns/130ns 測試條件:600V，25A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:303ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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