參數(shù)資料
型號(hào)： STGW20NC60V
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V的- TO-220/TO-247非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 293K
代理商： STGW20NC60V
STGP20NC60V - STGW20NC60V
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Figure 15: Thermal Impedance
Figure 16: Turn-Off SOA
Figure 17: Ic vs Frequency
For a fast IGBT suitable for high frequency appli-
cations, the typical collector current vs. maximum
operating frequency curve is reported. That fre-
quency is defined as follows:
f
MAX
= (P
D
- P
C
) / (E
ON
+ E
OFF
)
1) The maximum power dissipation is limited by
maximum junction to case thermal resistance:
P
D
=
T / R
THJ-C
considering
T = T
J
- T
C
= 125
°
C- 75
°
C = 50
°
C
2) The conduction losses are:
P
C
= I
C
* V
CE(SAT)
*
δ
with 50% of duty cycle, V
CESAT
typical value
@125
°
C.
3) Power dissipation during ON & OFF commuta-
tions is due to the switching frequency:
P
SW
= (E
ON
+ E
OFF
) * freq.
4) Typical values @ 125
°
C for switching losses are
used (test conditions: V
CE
= 390V, V
GE
= 15V,
R
G
= 3.3 Ohm). Furthermore, diode recovery en-
ergy is included in the E
ON
(see note 2), while the
tail of the collector current is included in the E
OFF
measurements (see note 3).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
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STW15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STH15NB50FI N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW20NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60DF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
STGW25H120DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SPEED 25 A, 1200 V, TRENCH GATE FIELD STOP IGBT - Bulk
STGW25H120DF2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.6V @ 15V，25A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:600μJ（開），700μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:100nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:29ns/130ns 測(cè)試條件:600V，25A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:303ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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