參數(shù)資料
型號(hào)： STH13NB60FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： STH13NB60FI
STW13NB60
STH13NB60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PowerMESH
MOSFET
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.48
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process,
SGS-Thomson
advanced family of power MOSFETs with
outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
has
designed
an
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
February 1998
TO-247 ISOWATT218
1
2
3
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STW13NB60
STH13NB60FI
600
600
±
30
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area (
1
) I
SD
≤
13 A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
JMAX
V
V
V
A
A
A
W
13
8.2
52
190
1.52
4
8.6
5.4
52
80
0.64
4
W/
o
C
V/ns
o
C
o
C
dv/dt(
1
)
T
stg
T
j
-65 to 150
150
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.54
< 0.54
I
D
STW13NB60
STH13NB60FI
600 V
600 V
13 A
8.6 A
1/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STH15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STW15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STH15NB50FI N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ)
STW15NB50 N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ)
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參數(shù)描述
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STH140N6F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH140N6F7-6 功能描述:N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH140N8F7-2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:200W,4m,80V,N-channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:80V,3.3mOhm,90A N-ch Power MOSFET
STH145N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 90A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6340pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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