- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380764 > STH13NB60FI (意法半導(dǎo)體) N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STH13NB60FI |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | STH13NB60FI |
Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability for the
consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may results from its use. No
license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of SGS-THOMSON Microelectronics. Specifications mentioned
in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied.
SGS-THOMSON Microelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express
written approval of SGS-THOMSON Microelectonics.
1998 SGS-THOMSON Microelectronics - Printed in Italy - All Rights Reserved
SGS-THOMSON Microelectronics GROUP OF COMPANIES
Australia - Brazil - Canada - China - France - Germany - Italy - Japan - Korea - Malaysia - Malta - Morocco - The Netherlands -
Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - Taiwan - Thailand - United Kingdom - U.S.A
. . .
6/6
STW13NB60-STH13NB60FI
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW13NB60 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET) |
| STH15NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET) |
| STW15NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET) |
| STH15NB50FI | N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ) |
| STW15NB50 | N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STH-14 | 功能描述:工具套件與外殼 KIT RoHS:否 制造商:Molex 產(chǎn)品: 類型: 大小: |
| STH140N6F7-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STH140N6F7-6 | 功能描述:N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STH140N8F7-2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:200W,4m,80V,N-channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:80V,3.3mOhm,90A N-ch Power MOSFET |
| STH145N8F7-2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 90A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6340pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。