參數(shù)資料
型號： STGP10NB37LZ
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條-對220內(nèi)部鉗位PowerMesh⑩IGBT的
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： STGP10NB37LZ
3/9
STGP10NB37LZ
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Symbol
I
L
Latching Current
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Eon
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
(
G
)Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %. (1)Pulse width limited by max. junction temperature. (**)Losses Include Also the Tail
Parameter
Test Conditions
Min.
20
Typ.
Max.
Unit
A
V
Clamp
= 320 V, T
C
= 125 °C
R
GOFF
= 1K
, V
GE
= 5 V
L = 300
μ
H
R
GOFF
= 1K
, L = 1.6 mH ,
Tc= 125°C, Vcc = 30V
U.I.S.
Unclamped Inductive
Switching Current
15
A
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
V
CC
= 320 V, I
C
= 10 A
R
G
= 1K
, V
GE
= 5 V
520
ns
Rise Time
340
ns
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
V
CC
= 320 V, I
C
= 10 A
R
G
=1K
, V
GE
= 5 V
17
180
A/μs
μJ
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-over Time
V
clamp
= 320 V, I
C
= 10 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 5 V
4
μs
Off Voltage Rise Time
2.2
μs
Delay Time
14.8
μs
Fall Time
1.5
μs
Turn-off Switching Loss
4.0
mJ
Cross-over Time
V
clamp
= 320 V, I
C
= 10 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 5 V
Tj = 125 °C
5.2
μs
Off Voltage Rise Time
2.8
μs
Delay Time
15.8
μs
Fall Time
2
μs
Turn-off Switching Loss
6.5
mJ
Normalized Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
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參數(shù)描述
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STGP10NB60SDFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh⑩ IGBT
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