參數(shù)資料
型號(hào)： STGP20NC60V
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V的- TO-220/TO-247非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
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代理商： STGP20NC60V
1/11
July 2004
STGP20NC60V
STGW20NC60V
N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247
Very Fast PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
LOSSES INCLUDE DIODE RECOVERY
ENERGY
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
HIGH FREQUENCY OPERATION UP TO 50
KHz
I
LOWER C
RES
/ C
IES
RATIO
I
NEW GENERATION PRODUCTS WITH
TIGHTER PARAMETER DISTRUBUTION
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “V” identifies a family optimized for high
frequency.
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY INVERTERS
I
SMPS and PFC IN BOTH HARD SWITCH AND
RESONANT TOPOLOGIES
I
UPS
I
MOTOR DRIVERS
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Max)
@25°C
I
C
@100°C
STGP20NC60V
STGW20NC60V
600 V
600 V
< 2.5 V
< 2.5 V
30 A
30 A
1
2
3
1
2
3
TO-247
Weight for TO-220: 1.92gr ± 0.01
Weight for TO-247: 4.41gr ± 0.01
Max Clip Pressure: 150 N/mm
2
TO-220
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGP20NC60V
GP20NC60V
TO-220
TUBE
STGW20NC60V
GW20NC60V
TO-247
TUBE
Rev. 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STH15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STW15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP20V60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB
STGP20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開(kāi)關(guān)能量:200μJ（開(kāi)），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STGP30H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 60A 150W TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,30A,high speed IGBT
STGP30H60DFB 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開(kāi)關(guān)能量:383μJ（開(kāi)），293μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:149nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:37ns/146ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STGP30H65F 功能描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開(kāi)關(guān)能量:350μJ（開(kāi)），400μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:105nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:50ns/160ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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