參數(shù)資料
型號： STGP20NC60V
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V的- TO-220/TO-247非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： STGP20NC60V
STGP20NC60V - STGW20NC60V
2/11
Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Reverse Battery Protection
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at 25
°
C (#)
I
C
Collector Current (continuous) at 100
°
C (#)
I
CM
(1)
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
(1)Pulse width limited by max. junction temperature.
Table 4: Thermal Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: Off
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collectro-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
Tc=25
°
C
Tc=125
°
C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
Table 6: On
Symbol
V
GE(th)
V
CE(SAT)
(#) Calculated according to the iterative formula:
Parameter
Value
Symbol
V
600
20
V
± 20
V
60
A
30
A
100
A
200
W
1.6
W/
°
C
–
55 to 150
°
C
Min.
Typ.
Max.
0.625
62.5
50
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
°
C/W
°
C/W
TO-220
TO-247
T
L
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purpose (1.6 mm from case, for 10 sec.)
300
°
C
Test Conditions
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
GE
= Max Rating
10
1
μA
mA
V
GE
= ± 20 V , V
CE
= 0
± 100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
GE
= 15 V, I
C
= 20A, Tj= 25
°
C
V
GE
= 15 V, I
C
= 20A,
Tj= 125
°
C
Min.
3.75
Typ.
Max.
5.75
Unit
V
Gate Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.8
1.7
2.5
V
V
ICTC
)
–
C
–
)
TCIC
(
)
×
RTHJ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STH15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STW15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP20V60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB
STGP20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STGP30H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 60A 150W TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,30A,high speed IGBT
STGP30H60DFB 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:383μJ（開），293μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:149nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:37ns/146ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STGP30H65F 功能描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:350μJ（開），400μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:105nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:50ns/160ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*