- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380764 > STGP20NC60V (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STGP20NC60V |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道30A條- 600V的- TO-220/TO-247非常IGBT的快速PowerMESH |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | STGP20NC60V |
11/11
STGP20NC60V - STGW20NC60V
Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the
consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from
its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications
mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information
previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or
systems without express written approval of STMicroelectronics.
The ST logo is a registered trademark of STMicroelectronics
All other names are the property of their respective owners
2004 STMicroelectronics - All Rights Reserved
STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES
Australia - Belgium - Brazil - Canada - China - Czech Republic - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan -
Malaysia - Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGW20NC60V | N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT |
| STH13NB60FI | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET) |
| STW13NB60 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET) |
| STH15NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET) |
| STW15NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGP20V60DF | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB |
| STGP20V60F | 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STGP30H60DF | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 60A 150W TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,30A,high speed IGBT |
| STGP30H60DFB | 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:383μJ（開），293μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:149nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:37ns/146ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STGP30H65F | 功能描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:350μJ（開），400μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:105nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:50ns/160ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。