參數(shù)資料
型號(hào)： STGP20NC60V
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V的- TO-220/TO-247非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： STGP20NC60V
STGP20NC60V - STGW20NC60V
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Figure 15: Thermal Impedance
Figure 16: Turn-Off SOA
Figure 17: Ic vs Frequency
For a fast IGBT suitable for high frequency appli-
cations, the typical collector current vs. maximum
operating frequency curve is reported. That fre-
quency is defined as follows:
f
MAX
= (P
D
- P
C
) / (E
ON
+ E
OFF
)
1) The maximum power dissipation is limited by
maximum junction to case thermal resistance:
P
D
=
T / R
THJ-C
considering
T = T
J
- T
C
= 125
°
C- 75
°
C = 50
°
C
2) The conduction losses are:
P
C
= I
C
* V
CE(SAT)
*
δ
with 50% of duty cycle, V
CESAT
typical value
@125
°
C.
3) Power dissipation during ON & OFF commuta-
tions is due to the switching frequency:
P
SW
= (E
ON
+ E
OFF
) * freq.
4) Typical values @ 125
°
C for switching losses are
used (test conditions: V
CE
= 390V, V
GE
= 15V,
R
G
= 3.3 Ohm). Furthermore, diode recovery en-
ergy is included in the E
ON
(see note 2), while the
tail of the collector current is included in the E
OFF
measurements (see note 3).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STH15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STW15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP20V60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB
STGP20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STGP30H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 60A 150W TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,30A,high speed IGBT
STGP30H60DFB 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:383μJ（開），293μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:149nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:37ns/146ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STGP30H65F 功能描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:350μJ（開），400μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:105nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:50ns/160ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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