參數(shù)資料
型號： STGP20NB37LZ
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述： N通道鉗位20A至- 220 IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： STGP20NB37LZ
STGP20NB37LZ
N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220
INTERNALLY CLAMPED PowerMESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
POLYSILICONGATE VOLTAGEDRIVEN
I
LOW THRESHOLD VOLTAGE
I
LOW ON-VOLTAGEDROP
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
HIGH VOLTAGECLAMPINGFEATURE
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs with
outstandingperformances.
The built in collector-gate zener exhibits a very
precise active clamping while the gate-emitter
zener suppliesan ESD protection.
APPLICATIONS
I
AUTOMOTIVE IGNITION
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
April 2000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
)
E
AS
P
tot
Parameter
Value
CLAMPED
Unit
V
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Reverse Battery Protection
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Collector Current (pulsed)
Single Pulse Energy Tc = 25
o
C
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
20
V
V
CLAMPED
40
A
30
80
A
A
700
150
mJ
W
W/
o
C
1
E
SD
T
stg
T
j
ESD (Human Body Model)
4
KV
o
C
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
-65 to 175
175
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGP20NB37LZ
CLAMPED
< 2.0 V
20 A
1
2
3
TO-220
1/6
相關PDF資料
PDF描述
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
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