| 型號: | STGP20NB37LZ |
| 廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述: | N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
| 中文描述: | N通道鉗位20A至- 220 IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH |
| 文件頁數(shù): | 1/6頁 |
| 文件大小: | 50K |
| 代理商: | STGP20NB37LZ |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGP20NC60V | N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT |
| STGW20NC60V | N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT |
| STH13NB60FI | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| STW13NB60 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| STH15NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGP20NB60H | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGP20NB60K | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT |
| STGP20NC60V | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGP20V60DF | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB |
| STGP20V60F | 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ(開),130μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:38ns/149ns 測試條件:400V,20A,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |