參數(shù)資料
型號(hào)： STGP20NB37LZ
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述： N通道鉗位20A至- 220 IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： STGP20NB37LZ
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Max
Max
Typ
1
62.5
0.2
o
C/W
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
BV
(CES)
Clamped Voltage
I
C
=2mA
I
C
=2mA
I
C
=2mA
I
C
= 75 mA
V
GE
= 0
V
GE
= 0
V
GE
= 0
T
C
= - 40
o
C
T
C
=
T
C
= 150
o
C
T
C
=
25
o
C
380
375
370
405
400
395
430
425
420
V
V
V
BV
(ECR)
Emitter Collector
Break-down Voltage
Gate Emitter
Break-down Voltage
Collector cut-off
Current (VGE = 0)
25
o
C
20
28
V
BV
GE
I
G
=
±
2 mA
12
14
16
V
I
CES
V
CE
= 15 V
V
CE
= 200 V
V
GE
=
±
10 V
V
GE
= 0
V
GE
= 0
T
C
= 150
o
C
T
C
= 150
o
C
10
100
μ
A
μ
A
μ
A
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (VCE = 0)
Gate Emitter Resistance
V
CE
= 0
±
300
±
660
±
1000
R
GE
10
15
30
K
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 4.5 V
V
GE
= 4.5 V
V
GE
= 4.5 V
V
GE
= 4.5 V
T
C
= - 40
o
C
T
C
=
T
C
= 150
o
C
T
C
=
T
C
= 150
o
C
T
C
=
T
C
= 150
o
C
25
o
C
1.2
1.0
0.6
1.4
2
V
V
V
V
CE(SAT)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
C
= 20 A
I
C
= 20 A
25
o
C
25
o
C
1.1
1.0
1.35
1.25
1.8
1.7
2.0
2.0
V
V
V
V
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Charge
V
CE
= 25 V
I
C
= 20 A
35
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V
f = 1 MHz
V
GE
= 0
2300
165
28
pF
pF
pF
Q
G
V
CE
= 280 V
I
C
= 20 A
V
GE
= 5 V
51
nC
STGP20NB37LZ
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STH15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP20NB60H 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP20NB60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT
STGP20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP20V60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB
STGP20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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