參數(shù)資料
型號： STGP20NB37LZ
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述： N通道鉗位20A至- 220 IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： STGP20NB37LZ
FUNCTIONALCHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
II
Latching Current
V
CLAMP
= 250 V
R
GOFF
= 1 K
T
C
= 150
o
C
R
GOFF
=1 K
L =3 mH
R
GOFF
=1 K
L =3 mH
V
GE
= 4.5 V
80
A
U.I.S.
Functional Test
Open Secondary Coil
T
C
=
T
C
= 150
o
C
25
o
C
21.6
15
26
18
A
A
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 250 V
V
GE
= 4.5 V
I
C
= 20 A
R
G
= 1 K
I
C
= 20 A
V
GE
= 4.5 V
T
C
=
T
C
= 150
o
C
2.3
0.6
μ
s
μ
s
A/
μ
s
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
V
CC
= 250 V
R
G
= 1 K
V
CC
=250V
R
G
=1 K
V
GE
=4.5V
550
E
on
Turn-on
Switching Losses
I
C
=20A
25
o
C
8.8
9.2
mJ
mJ
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
f
t
d
(
off
)
E
off
(**)
t
c
t
r
(v
off
)
t
f
t
d
(
off
)
E
off
(**)
(
) Pulse width limitedby safe operatingarea
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Fall Time
Off Voltage Delay Time
Turn-off Switching Loss
V
CC
= 250 V
R
GE
= 1 K
I
C
= 20 A
V
GE
= 4.5 V
4.8
2.6
2.0
11.5
11.8
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Fall Time
Off Voltage Delay Time
Turn-off Switching Loss
V
CC
= 250 V
R
GE
= 1 K
T
C
= 150
o
C
I
C
= 20 A
V
GE
= 4.5 V
7.8
3.5
3.9
12.0
17.8
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
(*) Pulsed:Pulse duration = 300 ms, duty cycle1.5 %
(**)LossesInclude Also TheTail(jedec Standardization)
STGP20NB37LZ
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STH15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP20NB60H 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP20NB60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT
STGP20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP20V60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB
STGP20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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