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參數(shù)資料
| 型號： | STGP20NB37LZ |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N通道鉗位20A至- 220 IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | STGP20NB37LZ |
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STGP20NB37LZ
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGP20NC60V | N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT |
| STGW20NC60V | N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT |
| STH13NB60FI | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| STW13NB60 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| STH15NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGP20NB60H | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGP20NB60K | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT |
| STGP20NC60V | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGP20V60DF | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB |
| STGP20V60F | 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關能量:200μJ（開），130μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
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