參數(shù)資料
型號： STB5NA80
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： STB5NA80
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 5:
Test Circuit For InductiveLoad Switching
And DIodeRecovery Times
Fig. 4:
GateCharge test Circuit
STB5NA80
7/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB60NE06L-16 N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STB60NF03L N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB60NF06L N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP60NF06L N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB5NA80-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-262AA
STB5NB60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET
STB5NB60-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA
STB5NB60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5NB80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5A -D2PAK PowerMESH] MOSFET
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