參數(shù)資料
型號(hào)： STB5NA80
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 131K
代理商： STB5NA80
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 640 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 640
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
40
100
55
135
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
180
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
55
8
24
75
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 640 V
R
G
= 47
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
75
25
110
100
35
150
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
4.7
19
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 4.7 A
V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 5 A
V
DD
= 100 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
800
15.2
38
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STB5NA80
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB60NE06L-16 N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STB60NF03L N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB60NF06L N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP60NF06L N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB5NA80-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-262AA
STB5NB60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET
STB5NB60-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA
STB5NB60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5NB80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5A -D2PAK PowerMESH] MOSFET
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