參數(shù)資料
型號(hào)： STA323WTR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 2.1 HIGH EFFICIENCY DIGITAL AUDIO SYSTEM
中文描述： 2.1高效率數(shù)字音頻系統(tǒng)
文件頁數(shù)： 6/41頁
文件大?。?/td> 749K
代理商： STA323WTR
STA323W
6/41
Table 3. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Table 4. THERMAL DATA
Table 5. RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
4
(V
DD3
= 3.3V ± 0.3V; T
amb
= 25°C; unless otherwise specified)
ELECTRICAL CHARACTERISTCS
4.1 GENERAL INTERFACE ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
I
il
Low Level Input no pull-up
I
ih
High Level Input no pull-down
I
OZ
Tristate output leakage without
pullup/down
V
esd
Electrostatic Protection
Note 1: The leakage currents are generally very small, < 1na. The values given here are maximum after an electrostatic stress on the pin.
Note 2: Human Body Model
4.2 DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS: 3.3V BUFFERS
Symbol
Parameter
V
IL
Low Level Input Voltage
V
IH
High Level Input Voltage
V
hyst
Schmitt Trigger Hysteresis
V
ol
Low Level Output
V
oh
High Level Output
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DD_3.3
3.3V I/O Power Supply
-0.5 to 4
V
V
i
Voltage on input pins
-0.5 to (VDD+0.5)
V
V
o
Voltage on output pins
-0.5 to (VDD+0.5)
V
T
stg
Storage Temperature
-40 to +150
°
C
T
amb
Ambient Operating Temperature
-20 to +85
°
C
V
CC
DC Supply Voltage
40
V
V
MAX
Maximum voltage on pins 20
5.5
V
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
R
thj-case
Thermal resistance Junction to case (thermal pad)
2.5
°
C/W
T
j-SD
Thermal Shut-down Junction Temperature
150
°
C
T
WARN
Thermal Warning Temperature
130
°
C
T
h-SD
Thermal Shut-down Hysteresis
25
°
C
Symbol
V
DD_3.3
T
j
Parameter
Value
3.0 to 3.6
Unit
V
°
C
I/O Power Supply
Operating Junction Temperature
-20 to +125
Test Condition
V
i
= 0V
V
i
= V
DD3
V
i
= V
DD3
Min.
Typ.
Max.
1
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
Note
1
2
1
2
1
Leakage < 1
μ
A
2000
V
2
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
0.8
Unit
V
2.0
V
0.4
V
IoI = 2mA
0.15
V
Ioh = -2mA
VDD -0.15
V
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