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參數(shù)資料
| 型號： | SST32HF202-70-4C-L3KE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 1.40 HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, LFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 17/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 399K |
| 代理商： | SST32HF202-70-4C-L3KE |
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Data Sheet
Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
17
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71209-06-000
5/05
FIGURE 11: WE# C
ONTROLLED
F
LASH
C
HIP
-E
RASE
T
IMING
D
IAGRAM
FIGURE 12: WE# C
ONTROLLED
F
LASH
S
ECTOR
-E
RASE
T
IMING
D
IAGRAM
1209 F10.0
ADDRESS AMSF-0
DQ15-0
WE#
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
5555
2AAA
2AAA
5555
5555
XX55
XX10
XX55
XXAA
XX80
XXAA
5555
OE#
CE#
SIX-BYTE CODE FOR CHIP-ERASE
TSCE
TWP
Note: This device also supports CE# controlled Chip-Erase operation. The WE# and CE# signals are
interchageable as long as minimum timings are met. (See Table 12)
X can be VIL or VIH, but no other value
AMSF = Most Significant Flash Address
1209 F11.0
ADDRESSES AMSF-0
DQ15-0
WE#
SW0
Note:
The device also supports BEF# controlled Sector-Erase operation. The WE# and BEF# signals are
interchangeable as long as minimum timings are met. (See Table 12)
X can be VIL or VIH, but no other value
SAX = Sector Address
AMSF = Most Significant Flash Address
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
5555
2AAA
2AAA
5555
5555
XX55
XX30
XX55
XXAA
XX80
XXAA
SAX
OE#
BEF#
SIX-WORD CODE FOR SECTOR-ERASE
TSE
TWP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST32HF202-70-4E-L3KE | Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory |
| SST34HF1601-70-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1601-90-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602D-70-4C-B1PE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602C | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST32HF202-70-4E-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-70-4E-L3KE | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4C-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4C-L3KE | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4E-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
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