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參數(shù)資料
| 型號： | SST32HF202-70-4C-L3KE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 1.40 HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, LFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 11/30頁 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | SST32HF202-70-4C-L3KE |
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Data Sheet
Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
11
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71209-06-000
5/05
AC CHARACTERISTICS
TABLE
9: SRAM R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
RCS
T
AAS
T
BES
T
OES
T
BYES
T
BLZS1
T
OLZS1
T
BYLZS1
T
BHZS1
T
OHZS1
T
BYHZS1
T
OHS
Parameter
Read Cycle Time
Address Access Time
Bank Enable Access Time
Output Enable Access Time
UBS#, LBS# Access Time
BES# to Active Output
Output Enable to Active Output
UBS#, LBS# to Active Output
BES# to High-Z Output
Output Disable to High-Z Output
UBS#, LBS# to High-Z Output
Output Hold from Address Change
Min
70
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
35
70
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
25
25
35
0
10
T9.3 1209
TABLE 10: SRAM W
RITE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
WCS
T
BWS
T
AWS
T
ASTS
T
WPS
T
WRS
T
BYWS
T
ODWS
T
OEWS
T
DSS
T
DHS
Parameter
Write Cycle Time
Bank Enable to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
UBS#, LBS# to End-of-Write
Output Disable from WE# Low
Output Enable from WE# High
Data Set-up Time
Data Hold from Write Time
Min
70
60
60
0
60
0
60
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
0
30
0
T10.3 1209
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST32HF202-70-4E-L3KE | Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory |
| SST34HF1601-70-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1601-90-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602D-70-4C-B1PE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602C | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST32HF202-70-4E-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-70-4E-L3KE | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4C-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4C-L3KE | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4E-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
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