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參數資料
| 型號： | SST32HF202-70-4C-L3KE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 1.40 HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, LFBGA-48 |
| 文件頁數： | 12/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 399K |
| 代理商： | SST32HF202-70-4C-L3KE |
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12
Data Sheet
Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71209-06-000
5/05
TABLE 11: F
LASH
R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
RC
T
BE
T
AA
T
OE
T
BLZ1
T
OLZ1
T
BHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Bank Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
BEF# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
BEF# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
Min
70
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
35
0
0
20
20
0
T11.2 1209
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
TABLE 12: F
LASH
P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
BP
T
AS
T
AH
T
BS
T
BH
T
OES
T
OEH
T
BPW
T
WP
T
WPH
T
BPH
T
DS
T
DH
T
IDA
T
SE
T
BE
T
SCE
Parameter
Word-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and BEF# Setup Time
WE# and BEF# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
BEF# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
BEF# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Block-Erase
Chip-Erase
Min
Max
20
Units
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
150
25
25
100
T12.0 1209
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST32HF202-70-4E-L3KE | Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory |
| SST34HF1601-70-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1601-90-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602D-70-4C-B1PE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602C | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SST32HF202-70-4E-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-70-4E-L3KE | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4C-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4C-L3KE | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4E-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
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