參數(shù)資料
型號(hào)： SST32HF202-70-4C-L3KE
廠商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 1.40 HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, LFBGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 10/30頁(yè)
文件大?。?/td> 399K
代理商： SST32HF202-70-4C-L3KE
10
Data Sheet
Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71209-06-000
5/05
TABLE
5: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
(V
DD
= V
DDF
AND
V
DDS
= 2.7-3.3V)
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
ILT
/V
IHT,
at f=5 MHz,
V
DD
=V
DD
Max, all DQs open
OE#=V
IL
, WE#=V
IH
BEF#=V
IL
, BES#=V
IH
Min
Units
Read
Flash
SRAM
30
30
55
mA
mA
mA
BEF#=V
IH
, BES#=V
IL
BEF#=V
IH
, BES#=V
IL
WE#=V
IL
BEF#=V
IL
, BES#=V
IH,
OE#=V
IH
BEF#=V
IH
, BES#=V
IL
Concurrent Operation
Write
Flash
SRAM
Standby V
DD
Current
SST32HF202/402
SST32HF802
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Flash Output Low Voltage
Flash Output High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
30
30
mA
mA
I
SB
30
40
1
10
0.8
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
V
DD
=V
DD
Max, BEF#=BES#=V
IHC
V
DD
=V
DD
Max, BEF#=BES#=V
IHC
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OL
=1 mA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-500 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
0.7 V
DD
V
DD
-0.3
0.2
V
DD
-0.2
0.4
2.2
T5.7 1209
TABLE
6: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
Symbol
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Program/Erase Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T6.0 1209
TABLE
7: C
APACITANCE
(T
A
= 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C
I/O1
C
IN1
Description
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
Test Condition
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
Maximum
24 pF
12 pF
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T7.0 1209
TABLE
8: F
LASH
R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
Symbol
N
END1
T
DR1
I
LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100 + I
DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T8.0 1209
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST32HF202-70-4E-L3KE Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory
SST34HF1601-70-4C-L1P 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory
SST34HF1601-90-4C-L1P 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory
SST34HF1602D-70-4C-B1PE 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory
SST34HF1602C 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory
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參數(shù)描述
SST32HF202-70-4E-L3K 功能描述:組合存儲(chǔ)器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray
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