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參數資料
| 型號： | SST29VE010-200-4C-EHE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, ROHS COMLIANT, MO-142BD, TSOP-32 |
| 文件頁數： | 24/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 417K |
| 代理商： | SST29VE010-200-4C-EHE |
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24
Data Sheet
1 Mbit Page-Write EEPROM
SST29EE010 / SST29VE010
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71061-11-000
9/05
PRODUCT ORDERING INFORMATION
Environmental Attribute
E
1
= non-Pb
Package Modifier
H = 32 leads or pins
Package Type
N = PLCC
E = TSOP (type 1, die up, 8mm x 20mm)
P = PDIP
W = TSOP (type 1, die up, 8mm x 14mm)
Temperature Range
C = Commercial = 0°C to +70°C
I = Industrial = -40°C to +85°C
Minimum Endurance
4 = 10,000 cycles
Read Access Speed
200 = 200 ns
150 = 150 ns
90 = 90 ns
70 = 70 ns
Device Density
010 = 1 Mbit
Function
E = Page-Write
Voltage
E = 4.5-5.5V
V = 2.7-3.6V
Product Series
29 = Page-Write Flash
1. Environmental suffix “E” denotes non-Pb solder.
SST non-Pb solder devices are “RoHS Compliant”.
SST
29
XX
xE
XX XXXX
010
-
- XXX
70
-
-
4C
XX
-
- XXX
NH
E
X
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-4C-NHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4C-WHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-EHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-NHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-WHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-4C-NH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-WH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-WHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4I-EH | 功能描述:閃存 U 804-29VE01020CEH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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