參數(shù)資料
型號: SST29VE010-200-4C-EHE
廠商: SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類: PROM
英文描述: 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM
中文描述: 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO32
封裝: 8 X 20 MM, ROHS COMLIANT, MO-142BD, TSOP-32
文件頁數(shù): 17/30頁
文件大?。?/td> 417K
代理商: SST29VE010-200-4C-EHE
Data Sheet
1 Mbit Page-Write EEPROM
SST29EE010 / SST29VE010
17
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71061-11-000
9/05
FIGURE 12: S
OFTWARE
ID E
XIT
AND
R
ESET
1061 F12.0
CE#
OE#
WE#
ADDRESS A14-0
DQ 7-0
SW0
SW1
SW2
TIDA
TBLC
TWP
5555
55
AA
F0
Three-Byte Sequence
for Software ID Exit and Reset
2AAA
5555
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PDF描述
SST29VE010-200-4C-NHE 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM
SST29VE010-200-4C-WHE 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM
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參數(shù)描述
SST29VE010-200-4C-NH 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-200-4C-NHE 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-200-4C-WH 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-200-4C-WHE 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-200-4I-EH 功能描述:閃存 U 804-29VE01020CEH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel