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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST29VE010-200-4C-EHE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, ROHS COMLIANT, MO-142BD, TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 10/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 417K |
| 代理商： | SST29VE010-200-4C-EHE |
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10
Data Sheet
1 Mbit Page-Write EEPROM
SST29EE010 / SST29VE010
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71061-11-000
9/05
TABLE
7: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
Symbol
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
Minimum
100
5
Units
μs
ms
T7.1 1061
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
TABLE
8: C
APACITANCE
(T
A
= 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C
I/O1
C
IN1
Description
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
Test Condition
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
Maximum
12 pF
6 pF
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T8.0 1061
TABLE
9: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
Symbol
N
END1
T
DR1
I
LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T9.5 1061
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-4C-NHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4C-WHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-EHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-NHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-WHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-4C-NH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-WH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-WHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4I-EH | 功能描述:閃存 U 804-29VE01020CEH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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