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參數(shù)資料
| 型號： | SST29VE010-200-4C-EHE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, ROHS COMLIANT, MO-142BD, TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 18/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 417K |
| 代理商： | SST29VE010-200-4C-EHE |
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18
Data Sheet
1 Mbit Page-Write EEPROM
SST29EE010 / SST29VE010
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71061-11-000
9/05
FIGURE 13: AC I
NPUT
/O
UTPUT
R
EFERENCE
W
AVEFORMS
FIGURE 14: A T
EST
L
OAD
E
XAMPLE
1061 F13.0
REFERENCE POINTS
OUTPUT
INPUT
VHT
VLT
VHT
VLT
VIHT
VILT
AC test inputs are driven at V
IHT
(2.4V) for a logic “1” and V
ILT
(0.4 V) for a logic “0”. Measurement reference points for
inputs and outputs are V
HT
(2.0 V) and V
LT
(0.8 V). Input rise and fall times (10%
90%) are <10 ns.
Note:
V
HT
- V
HIGH
Test
V
LT
- V
LOW
Test
V
IHT
- V
INPUT
HIGH Test
V
ILT
- V
INPUT
LOW Test
1061 F14.0
TO TESTER
TO DUT
CL
RL LOW
RL HIGH
VDD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-4C-NHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4C-WHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-EHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-NHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29VE010-200-4I-WHE | 1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-4C-NH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-WH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-WHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4I-EH | 功能描述:閃存 U 804-29VE01020CEH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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