參數(shù)資料
型號(hào)： SI4832DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
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代理商： SI4832DY-T1
Si4832DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71774
S-31062—Rev. F, 26-May-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 80 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (Schottky)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4832DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4833DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4835BDY-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4835BDY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4835DY P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4832DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4833ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 4.6 Amp 2.75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4833ADY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.6A 2.75W 72mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4833DY 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4833DY_07 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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