參數(shù)資料
型號： SI4835BDY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： SI4835BDY-T1
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
Advanced High Cell Density Process
APPLICATIONS
Load Switches
- Notebook PCs
- Desktop PCs
Si4835BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72029
S-31062—Rev. C, 26-May-03
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-30
0.018 @ V
GS
= -10 V
-9.6
0.030 @ V
GS
= -4.5 V
-7.5
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4835BDY
Si4835BDY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
25
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-9.6
-7.4
T
A
= 70 C
-7.7
-5.9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-50
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-2.1
-1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
1.5
W
T
A
= 70 C
1.6
0.9
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
39
50
Steady State
70
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
18
22
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料
PDF描述
SI4835BDY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4835DY P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI4836DY N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4838DY N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4840DY N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4835BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 9.6A 0.018Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4835DDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4835DDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4835-DEMO 功能描述:BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 評估和開發(fā)套件，板 系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:GPS 接收器 頻率:1575MHz 適用于相關產品:- 已供物品:模塊 其它名稱:SER3796
SI4835DY 功能描述:MOSFET Single P-Ch 30V/25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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