參數(shù)資料
型號(hào)： SI4835BDY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 55K
代理商： SI4835BDY-T1
Si4835BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72029
S-31062—Rev. C, 26-May-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4835BDY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4835DY P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI4836DY N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4838DY N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4840DY N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4835BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 9.6A 0.018Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4835DDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4835DDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4835-DEMO 功能描述:BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 評(píng)估和開發(fā)套件，板 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:GPS 接收器 頻率:1575MHz 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 已供物品:模塊 其它名稱:SER3796
SI4835DY 功能描述:MOSFET Single P-Ch 30V/25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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