型號(hào): | SI4835BDY-T1 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類(lèi): | MOSFETs |
英文描述: | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | P溝道30V的MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 4/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 55K |
代理商: | SI4835BDY-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI4835BDY | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI4835DY | P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
SI4836DY | N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SI4838DY | N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SI4840DY | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI4835BDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9.6A 0.018Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4835DDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4835DDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4835-DEMO | 功能描述:BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP RoHS:是 類(lèi)別:RF/IF 和 RFID >> RF 評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件,板 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類(lèi)型:GPS 接收器 頻率:1575MHz 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 已供物品:模塊 其它名稱:SER3796 |
SI4835DY | 功能描述:MOSFET Single P-Ch 30V/25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |