參數(shù)資料
型號(hào)： SI4835DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： SI4835DY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
Advanced High Cell Density Process
APPLICATIONS
Load Switches
- Notebook PCs
- Desktop PCs
Si4835BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72029
S-31062—Rev. C, 26-May-03
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-30
0.018 @ V
GS
= -10 V
-9.6
0.030 @ V
GS
= -4.5 V
-7.5
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4835BDY
Si4835BDY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
25
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-9.6
-7.4
T
A
= 70 C
-7.7
-5.9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-50
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-2.1
-1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
1.5
W
T
A
= 70 C
1.6
0.9
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
39
50
Steady State
70
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
18
22
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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