參數(shù)資料
型號： SI4854DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： SI4854DY
LITTLE FOOT
Plus
—Dual TrenchFET
Power MOSFET Plus Integrated Schottky
Diode
PWM Optimized for Faster Swtiching
DC/DC Conversion for 3- to 6-A Output
Current
– Notebook
– Desktop
Si4854DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71444
S-03476—Rev. A, 16-Apr-01
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.026 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.041 @ V
GS
= 2.5 V
6.9
30
6.4
5.5
V
DS
(V)
V
SD
(V)
Diode Forward Voltage
I
F
(A)
30
0.50 V @ 1.0 A
2.0
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
1
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
D
2
G
2
S
2
Schottky Diode
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
GS
30
Gate-Source Voltage
12
V
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
6.9
5.1
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
I
D
5.5
4.1
Pulsed Drain Current
I
DM
I
S
30
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
1.7
0.9
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
2.0
1.1
Maximum Power Dissipation
a
P
D
1.3
0.7
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
MOSFET
Schottky
Parameter
Symbol
Typ
Max
Typ
Max
Unit
t
10 sec
52
62.5
53
62.5
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady-State
R
thJA
93
110
93
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady-State
R
thJC
35
40
35
40
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4856DY N-Channel 30-V MOSFET
SI4858DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4880DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4882DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4884BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
SI4854DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4854DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4856ADY-RC 制造商:VAISH 制造商全稱:VAISH 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI4856ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4856DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V MOSFET
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