參數(shù)資料
型號(hào)： SI4854DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： SI4854DY
Si4854DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71444
S-03476
—
Rev. A, 16-Apr-01
www.vishay.com
5
10
–
3
10
–
2
1
10
10
–
1
10
–
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
Capacitance
0
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
0
6
12
18
24
30
20
10
0.0001
Reverse Current vs. Junction Temperature
–
I
R
T
J
–
Temperature ( C)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
10
1
Forward Voltage Drop
–
I
F
V
F
–
Forward Voltage Drop (V)
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
30 V
24 V
0.001
0.01
0.1
1
C
oss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4856DY N-Channel 30-V MOSFET
SI4858DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4880DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4882DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4884BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4854DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4854DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4856ADY-RC 制造商:VAISH 制造商全稱:VAISH 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI4856ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4856DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V MOSFET
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