參數(shù)資料
型號(hào)： SI4854DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： SI4854DY
Si4854DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71444
S-03476
—
Rev. A, 16-Apr-01
www.vishay.com
3
0
6
12
18
24
30
0.0
0.5
1.0
1.5
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2
4
6
8
10
V
GS
= 10 thru 3 V
T
C
= 125 C
–
55 C
2 V
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
r
D
)
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18
24
30
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.9 A
I
D
–
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
–
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
V
GS
= 2.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4856DY N-Channel 30-V MOSFET
SI4858DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4880DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4882DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4884BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI4854DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4856ADY-RC 制造商:VAISH 制造商全稱:VAISH 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI4856ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4856DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V MOSFET
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