參數(shù)資料
型號： SI4856DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V MOSFET
中文描述： N溝道30 V的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 54K
代理商： SI4856DY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
100% R
G
Tested
APPLICATIONS
Buck Converter
Synchronous Rectifier
- Secondary Rectifier
Si4856DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71881
S-03662—Rev. B, 03-Apr-03
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.006 @ V
GS
= 10 V
0.0085 @ V
GS
= 4.5 V
17
14
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
17
12
T
A
= 70 C
14
9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
50
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.7
1.40
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.0
1.6
W
T
A
= 70 C
2.0
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient (MOSFET)
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
t
10 sec
R
thJA
34
41
Steady State
67
80
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
15
19
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4858DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4880DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4882DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4884BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4884BDY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4858DY 功能描述:MOSFET 30V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4858DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4858DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 20A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4858DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 20 Amp 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4858DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 20A 3.5W 5.25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*