參數(shù)資料
型號： SI4856DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V MOSFET
中文描述： N溝道30 V的MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 54K
代理商： SI4856DY
Si4856DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71881
S-03662—Rev. B, 03-Apr-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
C
rss
V
DS
= 15 V
I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
V
GS
= 4.5 V
1.0
1.2
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0
2
4
6
8
10
1
10
50
I
D
= 17 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
0
700
1400
2100
2800
3500
0
6
12
18
24
30
C
oss
C
iss
相關PDF資料
PDF描述
SI4858DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4880DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4882DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4884BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4884BDY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4858DY 功能描述:MOSFET 30V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4858DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4858DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 20A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4858DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 20 Amp 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4858DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 20A 3.5W 5.25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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