參數(shù)資料
型號(hào)： SI4832DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： SI4832DY-T1
Si4832DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71774
S-31062—Rev. F, 26-May-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
0.01
10
20
30
40
50
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power (MOSFET)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (MOSFET)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
Time (sec)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
100
600
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 9.0 A
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 70 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
50
1
0.1
10
125
150
0.0001
1
30
Reverse Current (Schottky)
T
J
- Junction Temperature ( C)
-
I
R
0
25
50
75
100
10 V
0.001
0.01
0.1
10
20 V
30 V
600
100
10
1
0.1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4832DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4833DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4835BDY-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4835BDY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4835DY P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4833ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 4.6 Amp 2.75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4833ADY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.6A 2.75W 72mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4833DY 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4833DY_07 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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