參數(shù)資料
型號： SI2305DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Ch 20-V (D-S) 1.25-W, 2.5-V MOSFET
中文描述： P溝道20V（D-S）1.25瓦，2.5V，MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： SI2305DS
Si2305DS
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70833
S-56947—Rev. C, 28-Dec-98
–0.2
–0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
1.0
1.2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
2
4
6
8
0.1
10
30
I
D
= 3.5 A
0.01
0
1
6
12
2
4
10
500
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
– Temperature ( C)
P
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
Time (sec)
8
10
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.01
10
–3
10
–2
1
10
500
10
–1
10
–4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 130 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
100
T
A
= 25 C
1
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PDF描述
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