參數資料
型號： SI2305DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Ch 20-V (D-S) 1.25-W, 2.5-V MOSFET
中文描述： P溝道20V（D-S）1.25瓦，2.5V，MOSFET
文件頁數： 1/4頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： SI2305DS
Si2305DS
Vishay Siliconix
Document Number: 70833
S-56947—Rev. C, 28-Dec-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.052 @ V
GS
= –4.5 V
0.071 @ V
GS
= –2.5 V
0.108 @ V
GS
= –1.8 V
3.5
–8
3
2
G
S
D
Top View
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Si2305DS (A5)*
*Marking Code
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–8
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
T
A
= 25 C
I
D
3.5
A
T
A
= 70 C
2.8
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
DM
I
S
12
–1.6
Maximum Power Dissipation)
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
1.25
W
0.8
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
5 sec
R
thJA
100
C/W
Steady State
130
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
5 sec.
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PDF描述
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