型號(hào): | SI2306DS |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
中文描述: | 雙N溝道30 V的(副)MOSFET的肖特基二極管 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 57K |
代理商: | SI2306DS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI2306DS-T1 | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
Si2308DS-T1 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
SI2308DS | N-Channel MOSFET for 12-V Boardnet SMPS; buck configuration; |
SI2309DS | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
SI2311DS | P-channel 1.25-W, VGS = 1.8 V MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI2306DS-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1.25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI2306DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1.25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI2306DS-T3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:30V, N-CHANNEL, 94mohm 4.5V RATED TR |
SI2307 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
SI2307BDS | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |