參數(shù)資料
型號(hào)： SI2309DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道60V（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： SI2309DS
Si2309DS
Vishay Siliconix
Document Number: 70835
S-21339—Rev. B, 05-Aug-02
www.vishay.com
2-1
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.340 @ V
GS
= -10 V
- 1.25
-60
0.550 @ V
GS
= -4.5 V
- 1
G
TO-236
(SOT-23)
S
D
Top View
Si2309DS (A9)*
*Marking Code
2
3
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-60
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
-1.25
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 100 C
I
D
-0.85
Pulsed Drain Current
I
DM
-8
A
Avalanche Current
L = 0.1 mH
I
AS
-5
T
A
= 25 C
1.25
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 70 C
P
D
0.8
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
100
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
130
166
C/W
Maximum Junction-to-Lead
a
Steady State
R
thJL
45
60
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
5 sec.
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PDF描述
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