參數(shù)資料
型號： Si2315DS-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： P溝道1.25鎢，1.8 - V（下GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： SI2315DS-T1
Si2315BDS
Vishay Siliconix
Document Number: 72014
S-31990—Rev. D, 13-Oct-03
www.vishay.com
1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.050 @ V
GS
= -4.5 V
0.065 @ V
GS
= -2.5 V
0.100 @ V
GS
= -1.8 V
-3.85
-12
-3.4
-2.7
G
S
D
Top View
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Si2315BDS *(M5)
*Marking Code
Ordering Information: Si2315BDS-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-3.85
-3.0
T
A
= 70 C
-3.0
-2.45
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
-12
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.0
-0.62
Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.19
0.75
W
T
A
= 70 C
0.76
0.48
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec.
R
thJA
85
105
Steady State
130
166
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
60
75
Notes
a.
b.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board.
t
5 sec.
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PDF描述
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