參數(shù)資料
型號： SI2316DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： SI2316DS
TrenchFET Power MOSFET
Battery Switch
Si2316DS
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71798
S-05481—Rev. A, 21-Jan-02
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.050 @ V
GS
= 10 V
3.4
30
0.085 @ V
GS
= 4.5 V
2.6
G
S
D
Top View
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Si2316DS (C6)*
*Marking Code
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
3.4
2.9
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 70 C
I
D
2.7
2.3
Pulsed Drain Current
b
I
DM
16
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
S
0.8
T
A
= 25 C
0.96
0.7
Power Dissipation
a, b
T
A
= 70 C
P
D
0.6
0.45
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
100
130
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
140
175
C/W
Maximum Junction-to-Foot (drain)
Steady State
R
thJF
60
75
Notes
a.
b.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
Pulse width limited by maximum junction temperature
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PDF描述
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參數(shù)描述
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