參數(shù)資料
型號(hào)： SI2320DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： LEGEND TILES, SET F; RoHS Compliant: Yes
中文描述： N溝道200 -五（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： SI2320DS
Si2320DS
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71084
S-63640—Rev. A, 01-Nov -98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
200
7 @ V
GS
= 10 V
0.28
G
S
D
Top View
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Si2320DS (D0)*
*Marking Code
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
200
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
0.28
0.22
A
T
A
= 70 C
0.22
0.17
Pulsed Drain Current
b
I
DM
0.5
Avalanche Current
b
L = 0.1 mH
I
AS
0.5
Single Avalanche Energy
E
AS
0.013
mJ
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1
A
Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.25
0.75
W
T
A
= 70 C
0.80
0.48
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
5 sec
R
thJA
75
100
C/W
Steady State
120
166
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
40
50
Notes
a.
b.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
Pulse width limited by maximum junction temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI2321DS-T1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI2321DS P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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SI2328DS 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
SI2320DS-T1 功能描述:MOSFET 200V 0.22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2321DS 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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SI2321DS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.3A 0.71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2321DS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 3.3A 0.89W 57mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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