參數(shù)資料
型號(hào)： SI2321DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 41K
代理商： SI2321DS
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
APPLICATIONS
Load Switch
PA Switch
Si2321DS
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72210
S-03986—Rev. A, 19-May-03
www.vishay.com
1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.057 @ V
GS
= -4.5 V
0.076 @ V
GS
= -2.5 V
0.110 @ V
GS
= -1.8 V
-3.3
-20
-2.8
-2.3
G
S
D
Top View
Si2321DS *(D1)
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
*Marking Code
Ordering Information: Si2321DS-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-3.3
-2.9
T
A
= 70 C
-2.6
-2.3
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
-12
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-0.74
-0.59
Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
0.89
0.71
W
T
A
= 70 C
0.57
0.45
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec.
R
thJA
115
140
Steady State
140
175
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
60
75
Notes
a.
b.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board.
t
5 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI2323DS P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI2328DS 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI2331DS P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2333DS P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2335DS P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI2321DS-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2321DS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.3A 0.71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2321DS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 3.3A 0.89W 57mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2323CDS 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI2323CDS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6A P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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