參數(shù)資料
型號(hào)： SI2323DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： SI2323DS
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
APPLICATIONS
Load Switch
PA Switch
Si2323DS
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72024
S-22121—Rev. B, 25-Nov-02
www.vishay.com
1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.039 @ V
GS
= -4.5 V
0.052 @ V
GS
= -2.5 V
0.068 @ V
GS
= -1.8 V
-4.7
-20
- 4.1
- 3.5
G
S
D
Top View
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Si2323DS (D3)*
*Marking Code
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-20
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
- 4.7
-3.7
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 70 C
I
D
-3.8
-2.9
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
DM
I
S
-20
A
-1.0
-0.6
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
1.25
0.75
Maximum Power Dissipation
a, b
P
D
0.8
0.48
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
75
100
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
120
166
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
40
50
Notes
a.
b.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI2328DS 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI2331DS P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2333DS P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2335DS P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2343DS P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI2323DS_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2323DS-RC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI2323DST1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
SI2323DS-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.7A 0.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2323DS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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