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參數資料
| 型號： | S29GL128N10FAI010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁數： | 93/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N10FAI010 |
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S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
91
D a t a S h e e t
Notes:
1.
2.
V
IO
< V
CC
+ 200 mV.
V
and V
ramp must be in sync during power up. If RESET# is not stable for 35 μs, the following conditions may occur: the device does
not permit any read and write operations, valid read operations return FFh, and a hardware reset is required.
Maximum V
CC
power up current is 20 mA (RESET# = V
IL
).
3.
Figure 22. Power-On Reset Timings
Table 19. Power-Up Sequence Timings
Parameter
Description
Speed
Unit
t
VCS
Reset Low Time from Rising Edge of V
CC
(or last Reset pulse) to Rising Edge
of RESET#
Min
35
μs
t
VIOS
Reset Low Time from Rising Edge of V
IO
(or last Reset pulse) to Rising Edge
of RESET#
Min
35
μs
t
RH
Reset High Time Before Read
Max
200
ns
CE#
RESET#
t
RH
V
Vcc_ min
V
Vio_ min
t
VCS
t
VIOS
CC
IO
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N10FAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FAI013 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FAI020 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FAI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FAI023 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商器件封裝:56-TSOP 標準包裝:91 |
| S29GL128N10TFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL128N10TFI020 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
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