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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128N10FAI010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 90/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N10FAI010 |
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88
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
Physical Dimensions
TS056—56-Pin Standard Thin Small Outline Package (TSOP)
NOTES:
1
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS (mm).
(DIMENSIONING AND TOLERANCING CONFORMS TO ANSI Y14.5M-1982.)
2
PIN 1 IDENTIFIER FOR STANDARD PIN OUT (DIE UP).
3
TO BE DETERMINED AT THE SEATING PLANE -C- . THE SEATING PLANE IS
DEFINED AS THE PLANE OF CONTACT THAT IS MADE WHEN THE PACKAGE
LEADS ARE ALLOWED TO REST FREELY ON A FLAT HORIZONTAL SURFACE.
4
DIMENSIONS D1 AND E DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE
MOLD PROTUSION IS 0.15 mm PER SIDE.
5
DIMENSION b DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTUSION SHALL BE 0.08 mm TOTAL IN EXCESS OF b
DIMENSION AT MAX MATERIAL CONDITION. MINIMUM SPACE BETWEEN
PROTRUSION AND AN ADJACENT LEAD TO BE 0.07 mm.
6
THESE DIMESIONS APPLY TO THE FLAT SECTION OF THE LEAD BETWEEN
0.10 mm AND 0.25 mm FROM THE LEAD TIP.
7
LEAD COPLANARITY SHALL BE WITHIN 0.10 mm AS MEASURED FROM THE
SEATING PLANE.
8
DIMENSION "e" IS MEASURED AT THE CENTERLINE OF THE LEADS.
3160\38.10A
MO-142 (B) EC
NOM.
---
---
1.00
0.20
0.22
---
---
TS 56
1.20
0.15
1.05
0.23
0.27
0.16
0.21
MAX.
---
0.05
MIN.
0.95
0.17
0.17
0.10
0.10
20.00
18.40
20.20
18.50
19.80
18.30
14.00
14.10
13.90
0.60
-
---
56
0.70
8
0.20
0.50
0
0.08
0.50 BASIC
E
e
L
R
N
b1
b
JEDEC
SYMBOL
A
A1
PACKAGE
A2
D1
D
c1
c
O
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| S29GL128N10FAI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
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| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
| S29GL128N10TFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL128N10TFI020 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
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