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| 型號: | PZT2907AT1 |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | SOT-223 PACKAGE PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
| 中文描述: | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封裝: | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁數(shù): | 6/6頁 |
| 文件大小: | 139K |
| 代理商: | PZT2907AT1 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PZT2907A | PNP General Purpose Amplifier |
| PZT3904T1 | General Purpose Transistor |
| PZT651T1 | NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor(NPN型外延晶體管) |
| PZT65 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
| PZT651T3 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PZT2907AT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor |
| PZT2907AT1_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistor |
| PZT2907AT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZT2907AT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| PZT2907AT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| *型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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