參數(shù)資料
型號(hào)： PZT3904T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
封裝： CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： PZT3904T1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
May, 2004 Rev. 1
1
Publication Order Number:
PZT3904T1/D
PZT3904T1
Preferred Device
General Purpose Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
CollectorEmitter Voltage
V
CEO
40
Vdc
CollectorBase Voltage
V
CBO
60
Vdc
EmitterBase Voltage
V
EBO
6.0
Vdc
Collector Current Continuous
I
C
200
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation (Note 1)
T
A
= 25
°
C
P
D
1.5
12
W
mW/
°
C
Thermal Resistance JunctiontoAmbient
(Note 1)
R
JA
83.3
°
C/W
Thermal Resistance JunctiontoLead #4
R
JA
35
°
C/W
Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to
+150
°
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. FR4 with 1 oz and 713 mm
2
of copper area.
http://onsemi.com
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
SOT223
CASE 318E
Style 1
MARKING
DIAGRAM
AWW
1AM
COLLECTOR
2, 4
1
BASE
3
EMITTER
1AM= Specific Device Code
A
= Assembly Location
WW = Work Week
For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
PZT3904T1
SOT223
1000 / Tape & Reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZT651T1 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor(NPN型外延晶體管)
PZT65 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT651T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA
PZT751T1 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(硅PNP平面外延晶體管)
PZT751T1G PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
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參數(shù)描述
PZT3904T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PZT3904T1 Data Sheet
PZT3904T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.2A 40V 1.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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