參數(shù)資料
型號： PZT3904T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
封裝： CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： PZT3904T1
PZT3904T1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
(Note 2)
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 3)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
40
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 10 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
60
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
6.0
Base Cutoff Current
(V
CE
= 30 Vdc, V
EB
= 3.0 Vdc)
I
BL
50
nAdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 30 Vdc, V
EB
= 3.0 Vdc)
I
CEX
50
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
DC Current Gain (Note 2)
(I
C
= 0.1 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
H
FE
40
70
100
60
30
300
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.2
0.3
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
V
BE(sat)
0.65
0.85
0.95
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 20 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
300
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 5.0 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
obo
5.0
pF
Input Capacitance
(V
EB
= 0.5 Vdc, I
C
= 0, f = 1.0 MHz)
C
ibo
8.0
Input Impedance
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
ie
1.0
10
k
Voltage Feedback Ratio
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
re
0.5
8.0
X 10
4
SmallSignal Current Gain
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
fe
100
400
Output Admittance
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
oe
1.0
40
mhos
Noise Figure
(V
CE
= 5.0 Vdc, I
C
= 100 Adc, R
S
= 1.0 k , f = 1.0 kHz)
nF
5.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time
(V
= 3.0 Vdc, V
= 0.5 Vdc,
CC
BE
I
C
= 10 mAdc, I
B1
= 1.0 mAdc)
t
d
35
ns
Rise Time
t
r
35
Storage Time
(V
CC
= 3.0 Vdc,
t
s
200
Fall Time
I
C
= 10 mAdc, I
B1
= I
B2
= 1.0 mAdc)
t
f
50
2. FR5 = 1.0
3. Pulse Test: Pulse Width
0.75
0.062 in.
300 s, Duty Cycle
2.0%.
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PDF描述
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PZT3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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