參數(shù)資料
型號(hào)： PZT3904T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
封裝： CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： PZT3904T1
PZT3904T1
http://onsemi.com
3
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
+3 V
275
10 k
1N916
C
S
< 4 pF*
+3 V
275
10 k
C
S
< 4 pF*
< 1 ns
0.5 V
+10.9 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
9.1 V
′
+10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t
1
0
10 < t
1
< 500 s
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
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PDF描述
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參數(shù)描述
PZT3904T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PZT3904T1 Data Sheet
PZT3904T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.2A 40V 1.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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